Deposición electroquímica y caracterización de películas de fosfuro de indio
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Fecha
1997
Tipo de recurso
TESIS
Autor / Creador principal
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Diseñador
Contacto (informe)
Promotor
Productor
Titular
Inventor
Tutor de tesis
Solicitante
Afiliación
Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato
Sede CNEA
Fecha de publicación
1997
Fecha de creación
Idioma
spa
Nivel de accesibilidad
Condiciones de uso
Versión
Versión aceptada
Identificador CNEA
IT/T-24/97
Identificador (documentos oficiales)
ISBN
ISSN
Cobertura espacial
Cobertura temporal
Materia INIS
Palabras clave
Macro-area temática
Formato (extensión)
226 p.
Editor
Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato
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Agrupamiento documental - Sección
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Institución académica
Titulación
Fecha de resolución
Fecha de presentación de solicitud
Resolución
Estado
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Campo de aplicación
Campo de desarrollo
Resumen
En el trabajo se realizaron tanto la deposición electroquímica galvanostática de películas de fosfuro de indio a partir de soluciones acuosas de haxaflúor fosfuro de amonio y cloruro de indio, como su caracterización estructural. Se diseñó y contruyó un dispositivo experimental para el estudio de dicha deposició, describiéndose las características y la calibración de los sensores e instrumentos de medición de las principales variables que afectan a la deposición del material. Se obtuvieron depósitos de fosfuro de indio sobre substratos de titanio, silicio, grafito y vidrio conductor eléctrico de SnO2 dopado con flúor, a partir de soluciones acuosas de cloruro de indio (98 percent de pureza) y de hexaflúor de amonio (99.99 percent de pureza) con concentraciones cercanas a los 1.25mM y 58.62mM respectivamente. El pH de la solución se mantuvo en un valor ácido cercano a 2.00. Los depósitos se hicieron a varias temperaturas, (ambiente hasta 50°C), y se trabajó con densidades de corriente de 20 a 140 mA/cm² y tiempos de deposición entre 7 minutos y una hora. Se usó un método de cálculo de espesores para películas delgadas de fosfuro de indio sobre distintos substratos, partiendo de mediciones de la concentración atómica normalizada obtenida con microsonda electrónica. Se efectuaron caracterizaciones superficiales de los depósitos mediante microscopía óptica, de barrido y de transmisión, además de análisis cualitativos y cuantitativos de la composición y estructuras de los depósitos mediante microanálisis dispersivo en energía (EDAX), microanálisis dispersivo en longitud de onda (WDS) y mediante difracción de rayos X. Los estudios muestran la presencia de un compuesto cercano a la estequiometría de fosfuro de indio, además de cristales de InP del sistema cúbico (subgrupos espaciales Fm3m y F-43m), junto con trazas de cristales de fósforo elemental e indio elemental. Se calcularon los espesores de las películas electrodepositadas por diferentes técnicas, las áreas superficiales, la rugosidad superficial en diferentes condiciones de deposición, así como el tamaño promedio de los cristales, los parámetros de red del InP cristalino y la resistividad de las películas sobre substrato de vidrio conductor eléctrico. Se analizaron, finalmente, algunas de las causas de los defectos encontrados en las películas y depósitos.