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Objetivos de una colaboración regional en materia de investigación tecnológica
(Departamento de Metalurgia. Comisión Nacional de Energía Atómica, 1966)De acuerdo al programa preparado para la Conferencia, la Secretarla de Organización dispuso que en la sesión de hoy se discutieran medios para continuar esta tarea que hemos comenzado ahora. La experiencia ha servido para ... -
Objetivos y política nuclear de la República Argentina. Breve comentario sobre su estado de Implementación.
(Escuela Superior de guerra Tte. Gral.Luis María Campos, 1981)Por decreto del PEN N9 3183 del 19 de octubre de 1977 se declararon de interés nacional los objetivos y la política nuclear de la República Argentina, cuyos textos completos se agregan como anexo 1. La Comisión Nacional ... -
Obtención de anticuerpos específicos para ser aplicados al radioinmunoensayo de insulina y hormona del crecimiento
(Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), 1974)Se describe la preparación y control inmunológico de sueros de cobayo anti-insulina porcina, anti-insulina bovina y anti-hormona de crecimiento humano y suero de conejo anti-gamma globulina de cobayo. Los sueros preparados ... -
Obtención de generadores de Tc-99m
(Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), 1970)Se presenta un método simple, recientemente perfeccionado, para aislar y purificar Mo-99 (T 1/2 = 61,2 horas) de productos de fisión frescos provenientes de la irradiación con neutrones térmicos de dióxido de uranio. Se ... -
Obtención de óxidos blancos para implantes dentales
(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato, 2005)Los implantes dentales oseointegrados son ampliamente utilizados debido a que pueden ser empleados como solución para gran cantidad de indicaciones clínicas basando su éxito en la obtención de una buena oseintegración. En ... -
Obtención de soluciones de pertecneciato (Tc 99m) de alta concentración de actividad
(Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), 1973)Se describe un método de extracción por solventes que permite obtener soluciones de Tc-99m con elevada concentración de actividad. El proceso consiste en la irradiación de óxido de molibdeno, su disolución en hidróxido de ... -
Obtención del 5 Acetamido 2,4,6 Triyodo-N-Metilisoftalamato de Sodio I131
(Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), 1968)Se describe un método para marcar yodotalamato de sodio por intercambio entre 131l e iodotalamato inactivo, obteniéndose un rendimiento radioquímico superior al 95% en sólo 10 minutos. El control y la estabilidad del ... -
Obtención en sincrociclotrón de trazadores de plutonio
(Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), 1963)The optimum conditions to obtain plutonium tracer from natural uranium in a cyclotron were established. It was found that the yield is máximum at 24,5 MeV and that the amount obtained with targets of 27 mg/cm2 is enough ... -
Obtención y estabilidad de pirofosfato de sodio (32P)
(Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA), 1963)Calentando entre 500 y 550°C durante 5 horas 15 µM de ortofosfato disódico marcado con 32p de 20 mCi/mM, se obtiene pirofosfato de sodio 32p con una pureza radioquímica mayor de 97%. En las condiciones experimentales ... -
On a complete set of functions associated with a peculiar eigenvalue problem
(Instituto de Física "Dr. José A. Balseiro". Universidad Nacional de Cuyo, 1972)Consideration of the eigenvalue problem associated with a particle in the potential V (x) = F |x'| leads to a complete set of functions in the interval ( - ∞, ∞ ) derived from the Airy function. Completeness and orthogonality ... -
On spinors and gravity.
(Editrice Compositori, 1980)A consistent gauge theory of gravitation based on the group SX2jc and the two-component spinor formalism is presented. Under this unified Fiber bundle approach, matter may be coupled to the gravitational fleld leading ... -
On the anomalous susceptibility of small gap magnetic semiconductors (SmS, SmSe, SmTe).
(1975)The magnetic susceptibility of the Sm chalcogenides shows a large dependence on the nature of the anión. In the three compounds (which under pressure become metallic the energy needed to promote an electrón from the 4 / ... -
On the evidence for electron-electron scattering in the electrical resistivity In.
(1970)The purpose of this paper is to report that a generalized Kohler’s rule, similar to that proposed by Jones and Sondheimer, holds for the magnetoresistance of very pure Indium. This provides a reliable method for extrapolating ... -
On the existence of a two-phase field in the uranium oxygen system. within the composition range 2.65 O/U < 2.67 below 1273 K.
(North Holland Publishing Co., 1983)The purpose of this work was to further investigate the existence, or not, of a two-phase field between UO 2.65 and UO 2.67 below 1273 K. It was carried out making use of equipment recently developed in our laboratory ... -
On the stability of the martenaite in β-CU-ZN alloys.
(Pergamon Press, 1974)The CuZn alloys are representative of the so called "electron compounds". In these alloys the stability of the different equilibrium phases is controlled mainly by the electron concentration e/a (1). No such correlation ... -
Optimización de centelladores basados en 6Li para imágenes por neutrones y medidores de flujo neutrónico
(2020)La separación isotópica de 6Li por vías electroquímicas es una técnica que presenta potenciales aplicaciones en la industria nuclear debido a su simplicidad y a su bajo impacto ambiental frente a otras. En este trabajo, ... -
Optimización del método DL-EPR para detección de sensibilización en la aleación Inconel 690
(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato, 2017)La aleación 690 es una de las opciones actuales para la construcción de tubos de generadores de vapor de centrales nucleares de potencia, siendo la candidata para los tubos helicoidales de los generadores de vapor (GVs) ... -
Optimización teórico-dieléctricas antirreflectantes en celdas solares de silicio para aplicaciones espaciales
(Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto de Tecnología Sabato, 2004)La reflectividad de los semiconductores es, en general, mayor a un 30=520 \\|. En el caso del silicio, esta cantidad varía desde aproximadamente un 33=520 \\| en el infrarrojo (IR) hasta un 55=520 \\| en el ultravioleta ...
